基片的SOl智能切割

　　将SIMOX和BESOI的步骤结合起来就形成了智能切割。将注入剂量为1017/cm2的氢离子注入到热氧化的基片中，形成高斯分布的轮廓。基片表面到氢离子峰值浓度的距离取决于注入能量，通常在几百纳米到几微米之间；而在氢离子浓度最高的地方，晶格损伤也最严重，价键也最弱。

　　离子注入之后，将两个同样的基片（其中一片可以没有热氧化层）接触并在室温下键合。然后在600℃和1100 ℃下退火，基片就会在氢离子浓度最高处裂开。然后通过CMP减小表面的粗糙度。

　　由于氢的质量较小，所以离子注入并不会对晶格造成很大的损伤，线位错的密度一般小于10²/cm^-2，掩埋氧化层即热氧化层，厚度为几百纳米到几微米不等。

　　由于智能切割自由度大、质量好、效率高，对于制作低成本的光子器件很适用，法国的SOITEC已有商品供应。

　　SIMOX适合大批量生产，但离子注入损伤引起的粗糙度可能会使光场的损耗增加，而对于大截面的光波导结构来说问题就不存在了。BESOI不存在离子注入损伤的问题，但减薄工艺会产生破坏，结果是两个基片最后只能合成一个SOl的基片，这对于大规模生产是很不利的。SmartCut集合了前两者的优点。它既能重复生产，又易于剥离，而且剥离下来的硅片还可以重复利用。虽然氢离子也含造成损伤，但损伤较小。