波导SOl化学气相沉积工艺特点

　　对于SOl波导来说，CVD技术一般用来淀积其上包层，通常为二氧化硅或氮化硅。

　　对于调制器等有源器件来说，这一层还起着隔离金属电极减小电极对波导造成损耗的作用，所以厚度一定要选择合适，不能太薄，如果薄了就不能起到隔离金属的作用；但也不能太厚，因为如果太厚，金属覆盖也存在问题。

　　对于波导器件如波导分束器（Y分支、S弯曲分支）等器件来说，波导上包层的覆盖比较困难，因为这种分支的角度一般很小（小于1°），直接导致分支间距很小，这就存在着上包层覆盖填充的问题，如果填充不好，就会留有空隙，对波导器件性能造成不利的影响；对于有源器件来说还有可能造成上层金属断路。所以如何选择合适的温度、气流、掺杂剂含量使得上包层填充覆盖完好是至关重要的。