发布时间:2011-01-25阅读:1335
据日本媒体报道,在“第3届新一代照明技术展”上,攀时日本(PLANSEE Japan)展出了用于替换嵌入LED结构的蓝宝石基板的钼(Mo)基板及钼铜(MoCu)基板等产品。
据了解,通过替换成Mo基板或MoCu基板,可提高LED芯片的散热性能,而且有助于实现LED芯片的高功率化及高效率化。据介绍,目前从事厂商正在讨论导入该产品。
下面就介绍一下替换基板的LED芯片制造工艺。
首先,在蓝宝石基板上使GaN系半导体结晶外延生长,然后将Mo基板或MoCu基板粘贴在GaN系半导体结晶上。
随后揭下蓝宝石基板,切割成LED芯片。将蓝宝石基板替换成其他基板的技术已用于部分蓝色LED芯片,但攀时日本表示,采用Mo基板目前只限于紫外LED芯片。这是因为使用激光划片(Laser Dicing)方法将利用Mo基板等替换的LED晶圆切割成LED芯片时的速度较慢。“如果是蓝宝石基板,激光划片的速度为100mm/s,而Mo基板却仅为25mm/s”(该公司解说员)。因此,很难提高LED芯片的生产效率,不适于生产供货量较多的蓝色LED芯片。
不过,由于激光划片的技术不断提高,因此近期很可能在生产蓝光LED芯片等时采用Mo基板进行大量生产。
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