发布时间:2020-10-09阅读:866
先进封装技术已成为半导体行业发展的必然趋势,是未来低功耗、高性能、小型化终端应用的必然选择。9月29日,国创越摩先进封装项目正式开工。副省长吴桂英宣布开工。株洲市领导毛腾飞、阳卫国、何剑波、羊贵平、何朝晖、杨胜跃出席开工仪式。
国创越摩先进封装项目由上海兴橙资本、市国投集团、株洲经开区产投公司及项目创业团队合资建设,项目选址株洲经开区云霞大道旁,规划用地220亩,总投资约26.8亿元,其中一期预计总投资10.62亿元,规划用地面积120亩,计划建设100级、1000级及万级车间共1.28万平米,配套用房4200平米,建设5G射频滤波器晶圆级封装线(WLCSP)和射频前端模块系统级封装线(SiP)各一条,打造包含6吋、8吋晶圆级封装和系统级封装,包含射频滤波器芯片和射频前端模块、其他晶圆级和系统级封装等多种产品,技术先进、产品多元的世界级半导体封装产业基地。 项目预计2022年3月建成投产。投产后可实现5G滤波器国产化封测产线零的突破,同时依托领先的晶圆级封装和系统级封装服务,吸引优质上下游企业集聚株洲,着力将株洲打造成5G射频芯片及模块先进封装供应链中心。项目完全建成达产后,预计可实现年销售收入超40亿元,创造净利润8.78亿元,上缴税收4.17亿元,带动上下游产业链实现产值近百亿元。
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