P沟道增强型场效应管导通条件

P沟道增强型场效应管的导通条件是栅极电位低于漏极电位。栅极电位比漏极电位低得越多，就越趋于导通。一般低于漏极电位15V就可以完全导通。压差太大就会形成栅极击穿。想关闭就要把栅极电位拉回漏极。结型场效应管只有（耗尽型）；MOS管有（增强型）和（耗尽型）。增强型：就是UGS=0V时漏源极之间没有导电沟道，只有当UGS>开启电压(N沟道)或UGS<开启电压(P沟道)才可能出现导电沟道。耗尽型：就是UGS=0V时,漏源极之间存在导电沟道。
　　P沟道增强型场效应管的导通条件是栅极电位低于漏极电位。
　　栅极电位比漏极电位低得越多，就越趋于导通。一般低于漏极电位15V就可以完全导通。压差太大就会形成栅极击穿。想关闭就要把栅极电位拉回漏极。
　　场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
　　P沟道增强型场效应晶体管AO4443 www.dzsc.com/ic-detail/9_10684.html技术参数
　　包装：管件
　　零件状态：在售
　　类型：N沟道
　　技术：MOSFET（金属氧化物）
　　漏源极电压（Vdss）：
　　电流-连续漏极（Id）（25°C时）：4A（Tc）
　　不同Id时的Vgs（th）（最大值）：
　　不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
　　不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：
　　功能：
　　功率耗散（最大值）：25W（Tc）
　　不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：2欧姆@2A，工作温度：150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装：
　　封装/外壳：TO-220-3整包