生产最新12nm芯片，三星逆势计划新增10台EUV光刻机

由于内存价格暴跌，美光、SK海力士两家内存厂商都已经大幅削减了投资，降低了产能，然而三星作为内存一哥不为所动，不仅不打算减产，甚至还在扩大投资，明年新增至少10台EUV光刻机，用于生产最新的12nm级内存芯片。

三星在韩国的内存工厂主要是位于平泽市的晶圆厂，其中P3晶圆厂目前的产能是每月2万片晶圆，三星已经计划扩大投资，增加内存生产设备，将产能提升到每月7万片晶圆。

在这些设备中，最重要的就是EUV光刻机了，三星从14nm级别的内存芯片开始引入EUV光刻机，EUV光刻机可以减少多重曝光工艺，提供工艺精度，从而可以减少生产时间、降低成本，并提高性能。

当然，上EUV工艺的代价也不是没有，EUV光刻机单价10亿元以上，产量也不如传统DUV光刻机，意味着初期成本会比较高。

按照三星的计划，2023年的P3晶圆厂将新增至少10台EUV光刻机，主要用于量产此前发布的12nm级DRAM内存芯片。

12月21日消息，三星宣布全球首发12nm工艺的DDR5内存，核心容量16Gb，并率先完成AMD平台兼容认证。

三星是全球第一大DRAM内存芯片公司，技术上也是最领先的之一，2021年率先推出了14nm DRAM芯片，用上了EUV工艺，这次的12nm DRAM内存芯片则是进一步的技术升级版。

除了EUV工艺之外，12nm DRAM内存还使用了高K材料及改善电路特性的专用设计技术，该内存具有业界最高的存储密度，而且晶圆生产效率提升了20%。

三星没有提及太多的技术细节，速度上可达7.2Gbps，号称1秒内可以处理2部30GB的UHD电影，功耗比以前的DRAM降低了23%。